Статья "Физика, технология, приборы" о работах Института физики полупроводников под руководством А.В. Ржанова. Опубликована в газете "Наука в Сибири", №14, с.3, апрель 2000 г.
автор
2000-04
Статья "Почётный директор" Статья к 80-летию академика А.В. Ржанова опубликована в газете "Наука в Сибири", №14, с.3, апрель 2000 г.
Обращение к Правительствам стран ШОС Обращение сделано на II Форуме государственных научных учреждений стран Шанхайской организации сотрудничества на высшем уровне, проходившем в Новосибирске. От РАН обращение подписал председатель СО РАН академик А.Л. Асеев.
Приказ (проект) об организации в Институте Лаборатории эпитаксии из молекулярных пучков.
2000-04
Статья "Физика, технология, приборы" о работах Института физики полупроводников под руководством А.В. Ржанова. Опубликована в газете "Наука в Сибири", №14, с.3, апрель 2000 г.
Газета "Наука. Сибирский вариант" Совместный выпуск СО РАН и газеты "Советская Сибирь" посвящён Институту физики полупроводников и его первому директору А.В. Ржанову.
2008-04-23
Заметка "Председатель СО РАН борозды не портит" Информация с заседания Президиума СО РАН, на котором произошло рейтинговое голосование по кандидатуре на пост председателя Отделения. Опубликована в газете "Честное слово", № 17 за 23 апреля 2008 года.
2011-04
Статья "След на земле" о торжественном заседании Учёного совета ИФП СО РАН, посвящённом переименованию улицы Институтской в улицу академика Ржанова - в честь основателя и первого директора. Опубликована в газете "Наука в Сибири" , № 15, с.1, от 14 апреля 2011 г.