Расширенный
поиск

Открытый архив » Фонды » Фонд ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН » Коллекции фонда Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН » Труды А.В. Ржанова » Статья "Физические принципы работы МДП-стрцуктур и их применение в микроэлектронике"

Статья "Физические принципы работы МДП-стрцуктур и их применение в микроэлектронике"

 

Is 568_036

Is 568_037
Авторы документа: Ржанов Анатолий Васильевич
Геоинформация: Новосибирск
Источник поступления: Институт физики полупроводников СО АН СССР (СО РАН)
Документ входит в коллекции: Труды А.В. Ржанова