Персоны Организации Коллекции Документы Города Страны

Расширенный поиск

Открытый архив » Фонды » Фонд ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН » Коллекции фонда Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН » Дела Института физики полупроводников СО РАН » Статьи по истории физики » Статья "ФИАН - создатель первого российского транзистора"

Дата:	2010
Описание документа:	Опубликована в журнале "Вестник Российской Академии наук", т.80, №2, с. 169-176.
	Is 566_003 Is 566_004 Is 566_005 Is 566_006 Is 566_007 Is 566_008 Is 566_009 Is 566_010
Авторы документа:	Журнал "Вестник Российской Академии наук", Березанская Валентина Михайловна
Геоинформация:	Москва
Источник поступления:	Институт физики полупроводников СО АН СССР (СО РАН)
Документ входит в коллекции:	Статьи по истории физики